Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories: Device Physics and Applications
(Bog, Hardback, Engelsk)
Forlag:
Springer Verlag, Singapore
- Type: Bog
- Format: Hardback
-
Sprog:
Engelsk
- ISBN-13: 9789811512117
- Se flere detaljer ▼
Bemærk: Kan ikke leveres før jul.
Læsernes anmeldelser (0)
Alle detaljer
| Forlag | Springer Verlag, Singapore |
| Type | Bog |
| Format | Hardback |
| Sprog | Engelsk |
| Udgave | Second Edition 2020 |
| Udgivelsesdato | 24-03-2020 |
| Første udgivelsesår | 2020 |
| Serie | Topics in Applied Physics |
| Illustrationer | 183 Illustrations, color; 130 Illustrations, black and white; XIV, 425 p. 313 illus., 183 illus. in color. |
| Fagredaktør | Byung-Eun Park, Hiroshi Ishiwara, Masanori Okuyama, Shigeki Sakai, Sung-Min Yoon |
| Originalsprog | Singapore |
| Sideantal | 425 |
| Indbinding | Hardback |
| Forlag | Springer Verlag, Singapore |
| Sideoplysninger | 425 pages, 183 Illustrations, color; 130 Illustrations, black and white; XIV, 425 p. 313 illus., 183 |
| Mål | 235 x 155 |
| ISBN-13 / EAN-13 | 9789811512117 |