SiGe and Si Strained-Layer Epitaxy for Silicon Heterostructure Devices (Bog, Hardback, Engelsk)
  1. Forside
  2. Bøger
  3. Engelske bøger
  4. Elektronik: kredse og komponenter
  5. Elektroteknik
  6. Miljøvidenskab, miljøteknik og miljøteknologi
  7. SiGe and Si Strained-Layer Epitaxy for Silicon Heterostructure...

SiGe and Si Strained-Layer Epitaxy for Silicon Heterostructure Devices

(Bog, Hardback, Engelsk)
Forfatter: John D. (Georgia Institute of Technology) Cressler
SiGe and Si Strained-Layer Epitaxy for Silicon Heterostructure Devices
Forlag: Taylor & Francis Inc

Bemærk: Kan ikke leveres før jul.

Når du handler på WilliamDam.dk, betaler du den pris du ser.

  • Ingen gebyrer
  • Ingen abonnementer
  • Ingen bindingsperioder

Relaterede kategorier

Elektronik: kredse og komponenter Elektroteknik Miljøvidenskab, miljøteknik og miljøteknologi
  = Emner / kategorier
  = Sektioner / guides
  = Specialsider
  = Kampagner

Beskrivelse

Focuses on the materials science aspects of silicon heterostructure. This book defines the various advances in the Si-SiGe strained-layer epitaxy for device applications. It covers modern SiGe epitaxial growth techniques, EPI defects and dopant diffusion in thin films, stability constraints, and electronic properties of SiGe and Si-C alloys.

Læsernes anmeldelser (0)

Alle detaljer

Forlag Taylor & Francis Inc
Forfatter John D. (Georgia Institute of Technology) Cressler
Type Bog
Format Hardback
Sprog Engelsk
Udgivelsesdato 13-12-2007
Første udgivelsesår 2007
Illustrationer 24 Tables, black and white; 28 Halftones, black and white; 140 Illustrations, black and white
Fagredaktør John D. (Georgia Institute of Technology Cressler
Originalsprog United States
Sideantal 262
Indbinding Hardback
Forlag Taylor & Francis Inc
Sideoplysninger 262 pages, 24 Tables, black and white; 28 Halftones, black and white; 140 Illustrations, black and w
Mål 254 x 178
ISBN-13 / EAN-13 9781420066852